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  • 회로 보호 소자, TVS DIODE
    _[HARDWARE]/DEVICES 2009. 9. 25. 23:20
    1. 개요
       . Transient Voltage Suppression DIODE
       . 공정 기술의 발전 -> 산화물층이 얇아짐 -> ESD에 의한 손상 발생 -> 보호소자 필요

    2. TVS DIODE
    의 특성
       . 빠른 응답시간
       . 낮은 클램핑 전압
       . 낮은 누설전류와 커패시턴스 -> 고속 경로들의 보호에 적합
       . 과도 전압 발생 -> TVS DIODE avalanche 동작 발생 -> TVS DIODE낮은 임피던스로
            과도 전압이 우회됨
    -> 과도전압 이벤트 종료 후 T
    VS DIODE는 자동으로 고 임피던스로 복귀됨
       . 한계치 내에서 동작하는 한 TVS DIODE의 품질이 떨어지거나 마모되지않는 장점

    3. Parameter

       . Vwm
          - TVS DIODE가 정상적인 동작시에 견디는 전압
          - 회로의 동작 전압보다 높아야 한다.
       . Vc
          - TVS DIODE의 클램핑 전압.
       . Pppm
          - 최고 차단 전압과 전류의 곱
          - 포터블의 경우 500 watt가 적당


    4. 다른 소자와의 특징 비교
       . TVS DIODE vs ZENER DIODE
          - TVS DIODE ZENER DIODE에 비해 큰 p-n 접합 영역을 가지고 있다 ->전압 서지에
             보다 강한 저항력과 낮은 클램핑 비율

       . TVS DIODE vs 세라믹 콘덴서
          - 5KV의 서지가 인가될 경우 10%의 세라믹 콘덴서들은 손상을 입기 시작한다.
          - 10KV의 서지가 인가될 경우 60%의 세라믹 콘덴서들은 손상을 입는다.
          - TVS DIODE 15KV의 서지를 처리할 수 있으므로 포터블의 8KV 저항력에 대한 표준인
            
    IEC61000-4-2를 만족한다.
       . TVS DIODE vs MLV(Multilayer Varistor)
          - MLV는 전압에 민감하지 않는 부분에 적합한 반면 TVS DIODE는 낮은 클램핑 전압과
             커패시턴스에 의해 고주파 포트들에 매우 유효하다
    .

    5. PCB Layout
    시 고려 사항
       . 보호된 경로와 보호되지 않은 경로를 병렬로 이루지 않는다.
       . 경로들이 회로의 다른 부분으로 들어가기 전에 보호 소자에 연결시킨다.

    [
    참고]
    TVS 다이오드 이용한 포터블 장치의
    ESD 보호기술
    -전자엔지니어-

    TVS DIODE
    - AUK -

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